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肖特基二極管廣泛應用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路中。在不同的應用中，需要考慮不同的因素，而且，不同的器件在性能上也有差別，因此，在選用肖特基二極管時，下面這些關(guān)鍵參數(shù)需要綜合考慮。?1、導通壓降VFVF為二極管正向?qū)〞r二極管兩端的壓降，當通過二極管的電流越大，VF越大；當二極管溫度越高時，VF越小。?2、反向飽和漏電流IRIR指在二極管兩端

二極管分為好多種，可以說除了電阻電容外用的比較多的一種元器件，那么二極管分為哪些類型呢？1、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管，有時候又叫齊納二極管。原理是是利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，電流在很大范圍內(nèi)變化但是電壓卻基本維持不變。穩(wěn)壓二極管是以擊穿電壓來分等級的，如果想要獲得較高的電壓可以串聯(lián)使用，這一可以得到更高的輸出恒定電壓。例如1N4620穩(wěn)壓3.3V、1N4625穩(wěn)

硅整流二極管一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽w器件。通常它包含一個PN結(jié)，有正極和負極兩個端子。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分?，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。選用硅整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時，主要應考慮其最大整流電流、大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數(shù)。普

大家都知道，電阻可以用來串聯(lián)，也可以用來并聯(lián)。那么，二極管適合串聯(lián)和并聯(lián)嗎？二極管串聯(lián)時，需要注意靜態(tài)截止電壓和動態(tài)截止電壓的對稱分布。在靜態(tài)時，由于串聯(lián)各元件的截止漏電流具有不同的制造偏差，導致具有小漏電流的元件承受了大的電壓，甚至達到擎住狀態(tài)。但只要元件具有足夠的擎住穩(wěn)定性，則無必要在線路中采用均壓電阻。只有當截止電壓大于1200V的

(1)根據(jù)具體電路的要求選用不同類型、不同特性的二極管。在電子電路中作檢波用，就要選用檢波二極管;在電路中作整流用，就要選用整流二極管。在電子調(diào)諧電路中，可選用變?nèi)荻O管和開關(guān)二極管。在電源穩(wěn)壓等電路中，要選用穩(wěn)壓管,并留意穩(wěn)壓值的選用。(2)在選好二極管的基礎上,要選擇二極管的各項主要技術(shù)參數(shù),使這些參數(shù)和特性符合電路要求。例如，選用整流二極

二極管的檢測方法（1）普通二極管的檢測普通二極管（包括檢波二極管、整流二極管、開關(guān)二極管、瞬態(tài)抑制二極管）利用它的單向?qū)щ娞匦?，可使用萬用表進行檢測。① 用指針式萬用表檢測把萬用表置R×100Ω或R×1kΩ 擋處，將紅、黑兩表筆接觸二極管兩端，測出阻值；將紅、黑表筆對換再測出一個阻值。若兩次測得的阻值相差很大，說明該二極管單向?qū)щ娦院?，并且阻值?

在二極管電路符號中，三角形一端為正極，短杠一端為負極。因為二極管具有單向?qū)щ娦?，在電路中，電流只能從正極流進二極管，從負極流出二極管。二極管符號旁邊的“＋”“－”極性是為了便于說明問題加上去的，實際畫電路圖時一般都不加注。在看電路圖時，初學者往往對二極管的符號哪邊是正極、哪邊是負極分不清楚，這時可把二極管的符號看成是一個漏斗（口大

如果脈沖持續(xù)時間比二極管反向恢復時間長得多，這時負脈沖能使二極管徹底關(guān)斷，起到良好的開關(guān)作用；如果脈沖持續(xù)時間和二極管的反向恢復時間差不多甚至更短的話，這時由于反向恢復過程的影響，負脈沖不能使二極管關(guān)斷。所以要保持良好的開關(guān)作用，脈沖持續(xù)時間不能太短，也就意味著脈沖的重復頻率不能太高，這就限制了開關(guān)的速度。（本網(wǎng)站部分素材來自網(wǎng)絡

PN結(jié)二極管經(jīng)常用來制作電開關(guān)。在正偏狀態(tài)，即開態(tài)，很小的外加電壓就能產(chǎn)生較大的電流；在反偏狀態(tài)，即關(guān)態(tài)，只有很小的電流存在于PN結(jié)內(nèi)。我們感興趣的開關(guān)電路參數(shù)就是電路的開關(guān)速度。下面的內(nèi)容會定性地討論二極管的開關(guān)瞬態(tài)以及電荷的存儲效應。當某一時刻在外電路上加的正脈沖跳變?yōu)樨撁}沖時：正向時積累在各區(qū)的大量少子要被反向偏置電壓拉回到原來的

1、正向?qū)▔航祲航担憾O管的電流流過負載以后相對于同一參考點的電勢（電位）變化稱為電壓降，簡稱壓降。導通壓降：二極管開始導通時對應的電壓。正向特性：在二極管外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服PN結(jié)電場時，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。

通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復過程。其中tS稱為存儲時間，tt稱為渡越時間，tre=ts+tt稱為反向恢復時間。由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。電荷存儲效應產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因是由于二極管外加正向電壓VF時，載流子不斷擴散而存儲的結(jié)果。當外加正向電壓時Ｐ區(qū)空穴向Ｎ區(qū)擴散，Ｎ區(qū)電子向Ｐ區(qū)擴散，這樣，不僅

據(jù)媒體報道，繼上一輪的集體漲價之后，晶圓代工廠正在準備醞釀新一輪的漲價。消息稱，臺積電近日已開始暫停對客戶報價，聯(lián)電、世界先進、力積電等臺灣晶圓代工指標廠，預計將在二季調(diào)漲代工價格，漲價幅度將會在15％～30％不等，甚至有部份客戶需先繳付30％預付款。值得注意的是，全球一大半導體硅片廠商——信越化學于3月3日在官網(wǎng)發(fā)布公告，宣布從4月起對其所

二極管相信大家再熟悉不過了，但你能詳細說得出二極管有哪幾項主要參數(shù)嗎？今天跟大家一起細數(shù)一下二極管的幾項主要參數(shù)！二極管的參數(shù)主要有以下幾點：1．反向飽和漏電流IR指在二極管兩端加入反向電壓時，流過二極管的電流，該電流與半導體材料和溫度有關(guān)。2．額定整流電流IF指二極管長期運行時，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。目前大功率整流二極管的IF值

貼片二極管為電視行業(yè)帶來了革命性的變更，這無疑是一個宏大的提高，然而MarketWatch科技專欄作家德沃拉克(John C. Dvorak)指出，電視行業(yè)不曾想到的是，他們這一次竟然是作繭自縛。這種可以“永垂不朽”的技巧將使得電視的換代周期大大延伸，一旦市場飽和，電視行業(yè)和各種相干行業(yè)就將基礎損失全體成長可能。整流橋有鑒于此，他建議投資者遠離平面面板和各種相干企業(yè)

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。近年來問世的低功耗、大電流、超高速半

二極管在工作時會有一定的溫度指標，不管是來自于周邊運作的溫度還是二極管在運作時產(chǎn)生的溫度。當然，這些肯定是對元器的使用效率是有一定的影響的。二極管允許的工作溫度是由二極管的允許結(jié)溫決定的。二極管工作時管芯P-N結(jié)消耗的功率為流過二極管的電流乘以壓降，此功率會產(chǎn)生熱量，使結(jié)溫升高。結(jié)溫上升到一定溫度極管就會損壞。不同結(jié)構(gòu)的二極管由于結(jié)構(gòu)

1、整流二極管利用二極管單向?qū)щ娦?，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈沖直流電。2、開關(guān)元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態(tài)，相當于一只接通的開關(guān);在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。利用二極管的開關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。3、限幅元件二極管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不?硅管為0.7

整流二極管作為一種半導體器件，具有單向?qū)щ娞匦?。因此我們可以通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。具體的整流二極管的檢測方法如下：1．極性的判別：將萬用表置于 R×100 檔或 R×1k 檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結(jié)果后，對調(diào)兩表筆，再測出一個結(jié)果。兩次測量的結(jié)果中，有一次測量出的阻值較

一、肖特基二極管介紹：SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。二、肖特基二極管作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管

肖特基二極管簡介是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode），它是一種低功耗、大電流、超高速半導體器件，具有正向壓降低0.4V、開關(guān)速度非?？?，反向恢復時間很短（2-10ns納秒）等特點.缺點是反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。分類肖特基二極管分為：插件（DO-41）和貼片（SOD，SOT）兩種封裝形式。D